3，4-乙烯二氧噻吩EDOT(126213-50-1)在SOC制程中的应用原理和流程介绍

   SOC是电路版有机导电高分子选择性涂覆工艺的简称，又称为直接镀，是替代传统电路版PHT孔金属化的电镀工艺的新方法 。

一、工艺原理

   SOC的基本原理是绝缘树脂基材上在引发剂MnO2的作用下，3,4-乙撑二氧噻吩(EDOT)被催化聚合成含有共扼链结构的PEDOT,  PEDOT作为SOC导电膜可代替PTH金属化制程，随后经过电镀工序即可完成导通孔的金属化。

二、流程介绍

SOC工艺主要工艺包括调整、引发、聚合三个流程。调整的作用是在非导电基材上进行活化处理，促进引发段MnO2的沉积;引发的原理是绝缘的树脂在酸性高锰酸盐溶液中被氧化，同时产物MnO2沉积在孔内介质材料上，其作为聚合段的反应的催化物;聚合液主要山单体、乳化剂、有机酸构成的混合水溶液，其原理是通过Mn02的催化作用，单体被引发聚合成高分子导电聚合物。因为高锰酸盐不能与铜发生反应，故在铜面不会产生引发剂，铜面无法沉积导电高分子膜。因此，导电高分子膜只在绝缘树脂及玻纤位沉积，具有较好的选择性，一方面保证了绝缘层的导电性要求，另一方面又不会对铜面的结合力产生影响。为了证实其选择性，我们进行了如下试验:

    取两块相同材料的覆铜板，一块蚀刻掉表层铜，另一块不做处理。将两块基板分别过调整一引发一聚合流程后在表面做EDX分析，山图3可知，在铜表面的EDX分析未见SOC膜的特征元素S，而在蚀刻掉铜的无铜基材上有SOC膜的特征元素S。这表明有机导电聚合物不在铜层沉积，只在绝缘基材上沉积，具有较好的选择性。

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