突破：KAIST制备高质量氮化硼薄膜材料

近日，韩国科学技术院（KAIST）开发了一种基于去溶剂化诱导的粘合转换（DIAS）机制转印由密集堆叠的氮化硼（BN）纳米片组成的高质量氮化硼（BN）膜的通用方法，突破了氮化硼薄膜材料合成难度大且质量难保证的局限性。

纳米六方氮化硼（BN）是一种性能优异并具有很大发展潜力的新型陶瓷材料，近年来受到广泛关注。其具有高温抗氧化性、耐辐射、高导热率、高温润滑性、介电性能和绝缘性能良好的特点，是散热材料的重要材料之一，在冶金、航天航空、电子和核工业等领域有着广泛的应用。然而，其应用受到当前合成工艺的限制。

研究人员开发的DIAS方法，是通过尿素辅助球磨方法，BN材料边缘修饰羟基官能团，并剥离得到BN纳米片。然后将球磨后的BN纳米片用水进行清洗、透析和超声处理，随后真空抽滤后得到BN薄膜材料。结果表明，BN片材的边缘功能化和膜表面能的合理选择，以及对溶剂化和去溶剂化状态的系统控制，可实现在BN–BN，BN–膜和BN–基材边界的界面相互作用的广泛可调性。因此，无需在BN膜中加入任何添加剂，也无需在目标基材上进行任何表面处理，通过这种DIAS方法，就可在各种基材，包括表面明显不规则的基材（PET膜、玻璃、树叶、金属膜等）上实现纯BN膜的近100％转移率。

此外，得到的BN薄膜具有致密且排列整齐的微结构，这使其展现了非常高的透光性（＞90 %），极高的热稳定性（＞167 W m^-1 K^-1）。除出色的散热能力外，这种BN薄膜材料在发光，光致发光和光伏器件中被证实具有显着的光学增强效果。

综上，该研究提供了一种制备高质量氮化硼薄膜材料的策略，将使氮化硼材料在下一代光电器件中发挥更加显著和重要的作用。

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参考文献：Yujin Han, Hyeuk Jin Han, Yoonhyuk Rah, Cheolgyu Kim, Moohyum Kim, Hunhee Lim, Kwang Ho Ahn, Hanhwi Jang, Kyoungsik Yu,et al.Desolvation‐Triggered Versatile Transfer‐Printing of Pure BN Films with Thermal–Optical Dual Functionality, Adv. Mater. 2020.DOI: 10.1002/adma.202002099